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STS4DNFS30詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.7nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

STS4DNFS30詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.7nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

STS4DNFS30詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.7nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

STS4DNFS30L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

STS4DNFS30L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

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SI7440DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
STPS10170CR
二極管，整流器 - 陣列 STMicroelectronics TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA DIODE SCHOTTKY 170V 5A I2PAK
SWH120-PULG-S08-UU-WH
矩形 - 外殼 Sullins Connector Solutions 徑向 CONN RECEPT 1.25MM 8POS
STS4DNFS30
FET - 單 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
SIA456DJ-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6
SSK-105-S-G
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc 868-BGA CONN RCPT .100" 5POS GOLD T/H
SM4124FT8R45
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引線 RES 8.45 OHM 2W 1% WW 4124
SZ1SMB28CAT3G
TVS - 二極管 ON Semiconductor DO-214AA，SMB TVS ZENER 600W 28V SMB
SI7447ADP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
SWH120-PULG-S11-UU-WH
矩形 - 外殼 Sullins Connector Solutions 徑向 CONN RECEPT 1.25MM 11POS
SIA813DJ-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 雙 MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
SM4124FT976R
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引線 RES 976 OHM 2W 1% WW 4124
SZ1SMB36CAT3G
TVS - 二極管 ON Semiconductor DO-214AA，SMB TVS ZENER 600W 36V SMB
SI7450DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK 8SOIC
STPS1045BY-TR
單二極管/整流器 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK

STS4DNFS30 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料