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NTD4302詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 24V; 功率_最大：1.04W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DPAK-3; 包裝：管件

NTD4302-1G詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 24V; 功率_最大：1.04W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD4302G詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 24V; 功率_最大：1.04W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DPAK-3; 包裝：管件

NTD4302T4詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 24V; 功率_最大：1.04W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DPAK-3; 包裝：帶卷 (TR)

NTD4302T4G詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 24V; 功率_最大：1.04W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DPAK-3; 包裝：Digi-Reel®

NTD4302T4G詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 24V; 功率_最大：1.04W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DPAK-3; 包裝：剪切帶 (CT)

HPR103C
DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 7-SIP 模塊（5 引線） CONV DC/DC +/-5V +/-75MA SIP
MIC1557BM5 TR
時鐘/計時 - 可編程計時器和振蕩器 Micrel Inc SC-74A，SOT-753 IC OSC MONO TIMING 5MHZ SOT23-5
NTD4302
FET - 單 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
HMC451LP3E
RF 放大器 Hittite Microwave Corporation 16-VFQFN 裸露焊盤 IC MMIC PWR AMP 16QFN
NLVHC1G66MUR2G
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 ON Semiconductor 6-UFDFN IC SWITCH SPST 6UDFN
P0762.103NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR PWR UNSHIELD 10UH SMD
NJM2576RB1-TE1
線性 - 放大器 - 視頻放大器和頻緩沖器 NJR 8-VSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 寬） IC VIDEO AMP W/LPF LO-VOLT 8TVSP
NJM2265D
線性 - 視頻處理 NJR 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC VIDEO SUPERIMPOSER 3-IN 8-DIP
HPR103C
DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 7-SIP 模塊（5 引線） CONV DC/DC +/-5V +/-75MA SIP
NLVHC595ANG
邏輯 - 移位寄存器 ON Semiconductor 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC SHIFT REGISTER 8BIT 16-PDIP
HMC49DRAH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸露焊盤 CONN EDGECARD 98POS R/A .100 SLD
P0762.334NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR PWR UNSHIELD 330UH SMD
NJM2266D
線性 - 視頻處理 NJR 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC VIDEO SUPERIMPOSER 3-IN 8-DIP
NJM2577M-TE2
線性 - 視頻處理 NJR 20-DMP IC VIDEO DRIVER QUAD 20-DMP
HPR105C
DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 7-SIP 模塊（5 引線） CONV DC/DC +/-15V +/-25MA SIP

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NJM2265D

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NLVHC595ANG

HMC49DRAH

P0762.334NLT

NJM2266D

NJM2577M-TE2

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