MJD112T4 全國供應商、價格、PDF資料

MJD112T4詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS DARL NPN 100V 2A DPAK

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶體管類型：NPN - 達林頓

電流_集電極333Ic444（最大）：2A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A

電流_集電極截止（最大）：20µA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V

功率_最大：20W

頻率_轉換：25MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

MJD112T4詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS DARL NPN 100V 2A DPAK

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶體管類型：NPN - 達林頓

電流_集電極333Ic444（最大）：2A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A

電流_集電極截止（最大）：20µA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V

功率_最大：20W

頻率_轉換：25MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

MJD112T4詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 達林頓

電流_集電極333Ic444（最大）：2A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A

電流_集電極截止（最大）：20µA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V

功率_最大：1.75W

頻率_轉換：25MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：DPAK-3

包裝：Digi-Reel®

MJD112T4詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 達林頓

電流_集電極333Ic444（最大）：2A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A

電流_集電極截止（最大）：20µA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V

功率_最大：1.75W

頻率_轉換：25MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：DPAK-3

包裝：剪切帶 (CT)

MJD112T4詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS DARL NPN 100V 2A DPAK

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶體管類型：NPN - 達林頓

電流_集電極333Ic444（最大）：2A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A

電流_集電極截止（最大）：20µA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V

功率_最大：20W

頻率_轉換：25MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：剪切帶 (CT)

MJD112T4詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS DARL NPN 100V 2A DPAK

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶體管類型：NPN - 達林頓

電流_集電極333Ic444（最大）：2A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A

電流_集電極截止（最大）：20µA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V

功率_最大：20W

頻率_轉換：25MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：Digi-Reel®

• NSR0340V2T1G

  單二極管/整流器    ON Semiconductor    SC-79，SOD-523    DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD523

• MMA7261QR2

  加速計    Freescale Semiconductor    16-LQFN 裸露焊盤    SENSOR ACCEL 3-AXIS +/-2.5 16QFN

• MJD112T4

  晶體管(BJT) - 單路    STMicroelectronics    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    TRANS DARL NPN 100V 2A DPAK

• NTK3139PT1G

  FET - 單    ON Semiconductor    SOT-723    MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-723

• P51-200-A-Z-I12-4.5V-000-000

  壓力    SSI Technologies Inc    不銹鋼    SENSOR 200PSI 1/4-18NPT .5-4.5V

• MLG1005S4N3S

  固定式    TDK Corporation    0402（1005 公制）    INDUCTOR MULTILAYER 4.3NH 0402

• NRS8030T3R3MJGJ

  固定式    Taiyo Yuden    非標準    INDUCTOR POWER 3.3UH 4.3A SMD

• NPX20S48033DC

  DC DC Converters    Murata Power Solutions Inc    6-DIP 模塊    CONV DC/DC 6A 48VIN 3.3VOUT SGL

• NSR05F20NXT5G

  單二極管/整流器    ON Semiconductor    2-XFDFN    IC DIODE SFC SCHOTTKY 0402 2DSN

• P51-200-A-Z-I36-4.5OVP-000-000

  壓力    SSI Technologies Inc    不銹鋼    SENSOR 200PSI 1/4-18NPT .5-4.5V

• NTLGD3502NT1G

  FET - 陣列    ON Semiconductor    6-VDFN 裸露焊盤    MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN

• MLG1005S4N3S

  固定式    TDK Corporation    0402（1005 公制）    INDUCTOR MULTILAYER 4.3NH 0402

• NRS8030T4R7MJGJ

  固定式    Taiyo Yuden    非標準    INDUCTOR POWER 4.7UH 4.0A SMD

• N-Q2626

  尖端，噴嘴    OKI/Metcal    6-DIP 模塊    NOZZLE QFP.5MM 208PIN 20MIL PTCH

• NSR05F40NXT5G

  單二極管/整流器    ON Semiconductor    2-XFDFN    IC DIODE SFC SCHOTTKY 0402 2DSN