IRLZ14 全國供應商、價格、PDF資料

IRLZ14詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V

功率_最大：43W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRLZ14L詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 10A TO-262

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：TO-262-3

包裝：管件

IRLZ14PBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V

功率_最大：43W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRLZ14S詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRLZ14SPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRLZ14STRL詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• IRKH91/04A

  SCR    Vishay Semiconductors    ADD-A-PAK（3 + 2）    SCR DBL LOSCR 400V 95A ADD-A-PAK

• ISL9104IRUNEVAL1Z

  評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS    Intersil    6-UFDFN    EVAL BOARD 1 FOR ISL9104IRUN

• IRLZ14

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-220-3    MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB

• HMC920LP5E

  PMIC - 電源管理 - 專用    Hittite Microwave Corporation    32-VFQFN 裸露焊盤    IC CTRLR ACTIVE BIAS 32QFN

• HM2P07PKM2L5GF

  背板 - 硬公制，標準    FCI        CONN HEADER 110POS TYPE A VERT

• ISL43144IRZ-T

  接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器    Intersil    16-VQFN 裸露焊盤    IC SWITCH QUAD SPST 16QFN

• HF659/16SF

  扁平帶    3M    2520（6450 公制）    CABLE 16COND RND SHIELD GRY 25’

• HMC988LP3E

  時鐘/計時 - 時鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器    Hittite Microwave Corporation    16-VFQFN 裸露焊盤    IC CLK DIVIDER 16-QFN

• ISL9105IRZ-T

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關穩(wěn)壓器    Intersil    8-VFDFN 裸露焊盤    IC REG BUCK SYNC ADJ 0.6A 8DFN

• ISL43144IV

  接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器    Intersil    16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP

• HF659/24SF

  扁平帶    3M    2520（6450 公制）    CABLE 24COND RND SHIELD GRY 25’

• HMC992LP5E

  RF 其它 IC 和模塊    Hittite Microwave Corporation    32-VFQFN 裸露焊盤    RF IF AGC 50MHZ - 800MHZ 32SMT

• ISL9110IRTNZ-T7A

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關穩(wěn)壓器    Intersil    12-WFDFN 裸露焊盤    IC REG BUCK BST SYNC 3.3V 12TDFN

• HM2P07PKP190GFLF

  背板 - 硬公制，標準    FCI        CONN HEADER 110POS TYPE A VERT

• IRLZ24NLPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 55V 18A TO-262