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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    IRL3303S 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IRL3303S詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:38A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫歐 @ 20A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
    功率_最大:3.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:管件

    IRL3303SPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:38A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫歐 @ 20A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
    功率_最大:3.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:管件

    IRL3303STRL詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:38A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫歐 @ 20A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
    功率_最大:3.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:帶卷 (TR)

    IRL3303STRLPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:38A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫歐 @ 20A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
    功率_最大:3.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:帶卷 (TR)

    IRL3303STRR詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:38A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫歐 @ 20A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
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    功率_最大:3.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:帶卷 (TR)

    IRL3303STRRPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:38A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫歐 @ 20A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
    功率_最大:3.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:帶卷 (TR)

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