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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    IRF9520 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IRF9520詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 4.1A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:390pF @ 25V
    功率_最大:60W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    IRF9520L詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 4.1A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:390pF @ 25V
    功率_最大:3.7W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:I2PAK
    包裝:管件

    IRF9520NL詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫歐 @ 4A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
    功率_最大:3.8W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-262
    包裝:管件

    IRF9520NLPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262-3
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫歐 @ 4A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
    功率_最大:3.8W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-262
    包裝:管件

    IRF9520NS詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫歐 @ 4A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
    功率_最大:3.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:管件

    IRF9520NSPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫歐 @ 4A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
    功率_最大:3.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:管件

    IRF9520供應(yīng)商

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