添加收藏夾 設(shè)為首頁 深圳服務(wù)熱線:13692101218  13751165337 網(wǎng)站地圖|企業(yè)名錄|IC詳細資料|熱門庫存|Pdf資料

    51電子網(wǎng)Log圖片

    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

    51電子網(wǎng)聯(lián)系電話:13692101218

    當前位置:網(wǎng)站首頁 » 庫存索引454 » 型號"IRF7420"的供應(yīng)信息

    IRF7420 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
    按地區(qū):全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

    IRF7420詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:12V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 11.5A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:3529pF @ 10V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
    包裝:管件

    IRF7420PBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:12V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 11.5A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:3529pF @ 10V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
    包裝:管件

    IRF7420TR詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:12V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 11.5A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:3529pF @ 10V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF7420TRPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:12V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 11.5A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:3529pF @ 10V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF7420TRPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:12V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 11.5A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:3529pF @ 10V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
    包裝:Digi-Reel®

    IRF7420TRPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:12V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 11.5A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:3529pF @ 10V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
    包裝:剪切帶 (CT)

    IRF7420供應(yīng)商

    查看更多IRF7420的供應(yīng)商
    把51電子網(wǎng)設(shè)為首頁      把51電子網(wǎng)加入收藏夾
    關(guān)于我們 | 會員收費標準 | 廣告服務(wù) | 付款方式 | 友情鏈接 | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 免責(zé)聲明
    庫存上載:[email protected]   
    版權(quán)所有:51dzw.COM 粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn) 服務(wù)熱線(深圳):13692101218 13751165337 傳真:0755-83035052 投訴電話:0755-83030533


     復(fù)制成功!

    
    

      精品久久久久久国产一区高清全集 | 日韩欧美精品一区二区 | 各种少妇bbw撒尿484613 | 操中国熟女 | 性爱视频免费在线播放 | 影音先锋成人电影 | 操B理伦在现现看 | 少妞BBBBBBBBB毛多水多 | 国产黄网在线观看 | 韩国床戏3个小时大集合 |