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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    IRF742 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IRF7420詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:12V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 11.5A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:3529pF @ 10V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
    包裝:管件

    IRF7420PBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:12V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 11.5A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:3529pF @ 10V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
    包裝:管件

    IRF7420TR詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:12V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 11.5A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:3529pF @ 10V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF7420TRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:12V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 11.5A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:3529pF @ 10V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF7420TRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:12V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 11.5A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:3529pF @ 10V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
    包裝:Digi-Reel®

    IRF7420TRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:12V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 11.5A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:3529pF @ 10V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
    包裝:剪切帶 (CT)

    IRF742供應(yīng)商

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