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IRF7201詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7201PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7201TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7201TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7201TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7201TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

KMQ350VS471M35X30T2
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 470UF 350V 20% SNAP
KPT06E14-18SA206
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 18POS W/SKT CABLE
IRF7201
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
LM4050BIM3-2.5/NOPB
PMIC - 電壓基準(zhǔn) Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 2.5V SOT-23-3
IVS8-5W0-3W0-5Q0-40-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
KPSE02E12-10PY
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 10POS BOX MNT W/PINS
K470K10C0GF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 47PF 50V 10% RADIAL
IRF7811TR
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 28V 14A 8-SOIC
KMQ400VS221M25X35T2
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 220UF 400V 20% SNAP
KPSE02E12-10SA206
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 10POS BOX MNT W/SKTS
K470K10C0GF5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 47PF 50V 10% RADIAL
LM4050BIM3-2.5/NOPB
PMIC - 電壓基準(zhǔn) Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 2.5V SOT-23-3
IVS8-5W0-5W0-5W0-83-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IRF7811WTRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
KPT06E14-19PWDN
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 19POS W/PIN CABLE

IRF7201 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料