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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    IRF5210L 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IRF5210L詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 40A TO-262
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:40A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 24A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:180nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2700pF @ 25V
    功率_最大:3.8W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-262
    包裝:管件

    IRF5210LPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 38A TO-262
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:38A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 38A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:230nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2780pF @ 25V
    功率_最大:3.1W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-262
    包裝:管件

    IRF5210L供應(yīng)商

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