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    IRF3805 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IRF3805詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:55V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 毫歐 @ 75A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:290nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:7960pF @ 25V
    功率_最大:330W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應商設備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    IRF3805L-7PPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:55V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:160A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.6 毫歐 @ 140A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:200nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:7820pF @ 25V
    功率_最大:300W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
    供應商設備封裝:D2PAK(7-Lead)
    包裝:管件

    IRF3805LPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:55V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 毫歐 @ 75A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:290nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:7960pF @ 25V
    功率_最大:300W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
    供應商設備封裝:TO-262
    包裝:管件

    IRF3805PBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:55V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 毫歐 @ 75A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:290nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:7960pF @ 25V
    功率_最大:300W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應商設備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    IRF3805S詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:55V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 毫歐 @ 75A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:290nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:7960pF @ 25V
    功率_最大:330W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應商設備封裝:D2PAK
    包裝:管件

    IRF3805S-7PPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:55V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:160A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.6 毫歐 @ 140A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:200nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:7820pF @ 25V
    功率_最大:300W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
    供應商設備封裝:D2PAK(7-Lead)
    包裝:管件

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