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IPB05N03LA 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

IPB05N03LA詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：25V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 55A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3110pF @ 15V

功率_最大：94W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3

包裝：剪切帶 (CT)

IPB05N03LA詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：25V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 55A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3110pF @ 15V

功率_最大：94W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3

包裝：帶卷 (TR)

IPB05N03LA G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：25V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 55A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3110pF @ 15V

功率_最大：94W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3

包裝：帶卷 (TR)

IPB05N03LAT詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：25V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 55A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3110pF @ 15V

功率_最大：94W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3

包裝：帶卷 (TR)

IPB05N03LAT詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：25V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 55A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3110pF @ 15V

功率_最大：94W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3

包裝：剪切帶 (CT)

• KPT08F12-10PW

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 10POS W/PIN CABLE R/A

• LNK586GG

  PMIC - AC-DC 轉(zhuǎn)換器，離線開關(guān)    Power Integrations    8-SMD（7 個(gè)接腳），鷗形翼    IC OFFLINE SW SMD-8C

• IPB05N03LA

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

• ISL9000IRMMZ

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性    Intersil    10-VFDFN 裸露焊盤    IC REG LDO 3V .3A 10-DFN

• KPSE06A10-6SA71

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 6POS CABLE SKT

• ECQ-U2A472MF

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 4700PF 250VAC RADIAL

• IRLZ24NS

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK

• ISL3281EIHZ-T

  接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器    Intersil    SOT-23-6    IC RCVR ESD RS485/422 LP SOT23-6

• KPT08F12-10SW

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 10POS W/SKT CABLE R/A

• ISL9000IRMMZ-T

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性    Intersil    10-VFDFN 裸露焊盤    IC REG LDO 3V .3A 10-DFN

• KPSE06A12-10P

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 10POS CBL MNT W/PINS

• ECQ-U2A472ML

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 4700PF 275VAC RADIAL

• IRLZ24S

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK

• KPT08F12-10SY

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 10POS W/SKT CABLE R/A

• ISL3282EFRTZ-T

  接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器    Intersil    8-WFDFN 裸露焊盤    IC RCVR ESD RS485/422 LP 8-TDFN