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    IMX8-7-F 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IMX8-7-F詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 陣列
    描述:TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT26
    系列:-
    制造商:Diodes Inc
    晶體管類型:2 NPN(雙)
    電流_集電極333Ic444(最大):50mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):120V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
    電流_集電極截止(最大):-
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,6V
    功率_最大:300mW
    頻率_轉換:140MHz
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:SOT-23-6
    供應商設備封裝:SOT-26
    包裝:Digi-Reel®

    IMX8-7-F詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 陣列
    描述:TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT26
    系列:-
    制造商:Diodes Inc
    晶體管類型:2 NPN(雙)
    電流_集電極333Ic444(最大):50mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):120V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
    電流_集電極截止(最大):-
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,6V
    功率_最大:300mW
    頻率_轉換:140MHz
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:SOT-23-6
    供應商設備封裝:SOT-26
    包裝:剪切帶 (CT)

    IMX8-7-F詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 陣列
    描述:TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT26
    系列:-
    制造商:Diodes Inc
    晶體管類型:2 NPN(雙)
    電流_集電極333Ic444(最大):50mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):120V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
    電流_集電極截止(最大):-
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,6V
    功率_最大:300mW
    頻率_轉換:140MHz
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:SOT-23-6
    供應商設備封裝:SOT-26
    包裝:帶卷 (TR)

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