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IHSM5832RF681L 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

IHSM5832RF681L詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：固定式

描述：INDUCTOR POWER 680UH 0.43A SMD

系列：IHSM-5832

制造商：Vishay Dale

類(lèi)型：鐵氧體芯體

電感：680µH

電流：

額定電流：430mA

電流_飽和值：250mA

容差：±15%

材料_磁芯：鐵氧體

屏蔽：無(wú)屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 2.73 歐姆

不同頻率時(shí)的Q值：-

頻率_自諧振：-

工作溫度：-55°C ~ 125°C

封裝/外殼：非標(biāo)準(zhǔn)

大小/尺寸：0.640" L x 0.320" W x 0.285" H（16.26mm x 8.13mm x 7.24mm）

安裝類(lèi)型：表面貼裝

包裝：帶卷 (TR)

• IHSM5832RF2R2L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 2.2UH 8.5A SMD

• DSP2A-DC5V

  功率，高于 2 安    Panasonic Electric Works    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V

• GS-3-100-9093-F-LF

  通孔電阻器    TT Electronics/IRC    軸向    RES THICK FLM 909K OHM 3W 1% AXL

• DS1220AD-200IND+

  存儲(chǔ)器    Maxim Integrated    24-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）    IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP

• GRM31MR71H474KA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.47UF 50V 10% X7R 1206

• IDT70V657S12DRI

  存儲(chǔ)器    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-BFQFP    IC SRAM 1.125MBIT 12NS 208QFP

• LGY2V101MELZ

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 100UF 350V 20% SNAP

• IMC1812ER150K

  固定式    Vishay Dale        INDUCTOR WW 15UH 10% 1812

• GS4901BCNE3

  時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 專(zhuān)用    Semtech    64-VFQFN 裸露焊盤(pán)    IC CLOCK GEN SYNTHESIZER

• DS1221S

  存儲(chǔ)器 - 控制器    Maxim Integrated    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC CTRLR/DECODER 4BIT 16-SOIC

• GRM31MR72A154KA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.15UF 100V 10% X7R 1206

• IDT70V658S12BFI8

  存儲(chǔ)器    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-LFBGA    IC SRAM 2MBIT 12NS 208FBGA

• LGY2V151MELZ

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 150UF 350V 20% SNAP

• GSA 1

  保險(xiǎn)絲    Bel Fuse Inc    3AB，3AG，1/4" x 1-1/4"    FUSE 1A 250V SLOW CERAMIC GSA

• DSP30-24

  AC DC 轉(zhuǎn)換器    TDK-Lambda Americas Inc    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    PWR SUP DIN RAIL 24V 31.2W 1.3A