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IHSM5832RF2R2L 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：

IHSM5832RF2R2L詳細(xì)規(guī)格

類別：固定式

描述：INDUCTOR POWER 2.2UH 8.5A SMD

系列：IHSM-5832

制造商：Vishay Dale

類型：鐵氧體芯體

電感：2.2µH

電流：

額定電流：8.5A

電流_飽和值：4A

容差：±15%

材料_磁芯：鐵氧體

屏蔽：無屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 15 毫歐

不同頻率時的Q值：-

頻率_自諧振：-

工作溫度：-55°C ~ 125°C

封裝/外殼：非標(biāo)準(zhǔn)

大小/尺寸：0.640" L x 0.320" W x 0.285" H（16.26mm x 8.13mm x 7.24mm）

安裝類型：表面貼裝

包裝：帶卷 (TR)

• IDT70V639S12PRF8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    128-LQFP    IC SRAM 2.25MBIT 12NS 128TQFP

• IMC1812ER101K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 100UH 10% 1812

• DSP2A-DC12V

  功率，高于 2 安    Panasonic Electric Works    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 12V

• IHSM5832PJ820L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 82UH 1.14A SMD

• GS-3-100-4701-F-LF

  通孔電阻器    TT Electronics/IRC    軸向    RES THICK FLM 4.7K OHM 3W 1% AXL

• LGY2G471MELC

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 470UF 400V 20% SNAP

• DS1220AD-150

  存儲器    Maxim Integrated    24-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）    IC NVSRAM 16KBIT 150NS 24DIP

• GRM31MR71H474KA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.47UF 50V 10% X7R 1206

• IDT70V657S12BF

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-LFBGA    IC SRAM 1.125MBIT 12NS 208FBGA

• DSP2A-DC5V

  功率，高于 2 安    Panasonic Electric Works    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V

• GS-3-100-9093-F-LF

  通孔電阻器    TT Electronics/IRC    軸向    RES THICK FLM 909K OHM 3W 1% AXL

• DS1220AD-200IND+

  存儲器    Maxim Integrated    24-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）    IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP

• GRM31MR71H474KA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.47UF 50V 10% X7R 1206

• IDT70V657S12DRI

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-BFQFP    IC SRAM 1.125MBIT 12NS 208QFP

• LGY2V101MELZ

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 100UF 350V 20% SNAP