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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    FQT3P20TF 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    FQT3P20TF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223
    系列:QFET™
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:200V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:670mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 歐姆 @ 335mA,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-223-4
    包裝:帶卷 (TR)

    FQT3P20TF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223
    系列:QFET™
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:200V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:670mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 歐姆 @ 335mA,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-223-4
    包裝:Digi-Reel®

    FQT3P20TF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223
    系列:QFET™
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:200V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:670mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 歐姆 @ 335mA,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-223-4
    包裝:剪切帶 (CT)

    FQT3P20TF_SB82100詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 200V 670MA SOT-223-4
    系列:QFET™
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:200V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:670mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 歐姆 @ 335mA,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-223-4
    包裝:剪切帶 (CT)

    FQT3P20TF_SB82100詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 200V 670MA SOT-223-4
    系列:QFET™
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:200V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:670mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 歐姆 @ 335mA,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-223-4
    包裝:Digi-Reel®

    FQT3P20TF_SB82100詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 200V 670MA SOT-223-4
    系列:QFET™
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:200V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:670mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 歐姆 @ 335mA,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-223-4
    包裝:帶卷 (TR)

    FQT3P20TF供應(yīng)商

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