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FDS6982AS 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

FDS6982AS詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.3A，8.6A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 6.3A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：610pF @ 10V

功率_最大：900mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SO-8

包裝：剪切帶 (CT)

FDS6982AS詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.3A，8.6A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 6.3A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：610pF @ 10V

功率_最大：900mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SO-8

包裝：Digi-Reel®

FDS6982AS詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.3A，8.6A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 6.3A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：610pF @ 10V

功率_最大：900mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SO-8

包裝：帶卷 (TR)

• IR1155STRPBF

  PMIC - PFC（功率因數(shù)修正）    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC PFC ONE CYCLE CONTROL 8SOIC

• H4BBG-10102-B8-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd    9-DIP 模塊，1/2 磚    JUMPER-H9991TR/A3048B/H9991TR 2"

• FDS6982AS

  FET - 陣列    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8

• ISC1812ET3R3K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 3.3UH 10% 1812

• IRFZ48NSTRLPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK

• GJM0335C1E5R7WB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5.7PF 25V NP0 0201

• IRFZ48S

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

• H4BBG-10102-G1-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd    9-DIP 模塊，1/2 磚    JUMPER-H9991TR/A3047G/H9991TR 2"

• IR1167ASTRPBF

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān)    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC SMART SECONDARY DRIVER 8-SOIC

• GJM0335C1E5R8BB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5.8PF 25V NP0 0201

• IRFZ48VS

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK

• IRG4BAC50W-SPBF

  IGBT - 單路    International Rectifier    Super-220?-3（直引線）    IGBT N-CHAN 600V 55A SUPER220

• IR11682SPBF

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān)    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC RECTIFIER DRIVER DUAL 8-SOIC

• H4BBG-10102-L8-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd    9-DIP 模塊，1/2 磚    JUMPER-H9991TR/A3048L/H9991TR 2"

• ISC1812RQ101J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 100UH 5% 1812