FDS6690A詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 11A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1205pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
FDS6690A詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 11A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1205pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：Digi-Reel®
FDS6690A詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 11A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1205pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：剪切帶 (CT)
FDS6690AS詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
- 系列：PowerTrench®, SyncFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：910pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：帶卷 (TR)
FDS6690AS詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
- 系列：PowerTrench®, SyncFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：910pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：剪切帶 (CT)
FDS6690AS詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
- 系列：PowerTrench®, SyncFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：910pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：Digi-Reel®
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC VREF SHUNT PREC 5V SC-70-5
- 接口 - 驅動器，接收器，收發(fā)器 Maxim Integrated 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS485/422 10MBPS 14-SOIC
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 2POS PIN
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1210（3225 公制） RES 909 OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC SWITCH SPST SOT23-5
- 評估板 - 音頻放大器 Texas Instruments 24-WFQFN 裸露焊盤 BOARD EVALUATION LM4855LQ
- 接口 - 傳感器和探測器接口 Maxim Integrated 12-TQFN 裸露焊盤 IC AMP TRANSIMPEDANCE 12TQFN
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC VREF SHUNT PREC 5V SC-70-5
- 連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 2POS STRGHT W/PINS
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1210（3225 公制） RES 90.9K OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 24-WFQFN 裸露焊盤 IC AMP AUDIO PWR 1.5W MONO 24LLP
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Texas Instruments 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC SWITCH SPST SC70-5
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Maxim Integrated 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC SWITCH DUAL DPST 16DIP
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 5V SOT-23-3
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