

FDN359BN詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:46 毫歐 @ 2.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 15V
- 功率_最大:460mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設(shè)備封裝:3-SSOT
- 包裝:帶卷 (TR)
FDN359BN詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:46 毫歐 @ 2.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 15V
- 功率_最大:460mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設(shè)備封裝:3-SSOT
- 包裝:Digi-Reel®
FDN359BN詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:46 毫歐 @ 2.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 15V
- 功率_最大:460mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設(shè)備封裝:3-SSOT
- 包裝:剪切帶 (CT)
FDN359BN_F095詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:46 毫歐 @ 2.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 15V
- 功率_最大:460mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設(shè)備封裝:3-SSOT
- 包裝:Digi-Reel®
FDN359BN_F095詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:46 毫歐 @ 2.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 15V
- 功率_最大:460mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設(shè)備封裝:3-SSOT
- 包裝:帶卷 (TR)
FDN359BN_F095詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:46 毫歐 @ 2.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 15V
- 功率_最大:460mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設(shè)備封裝:3-SSOT
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 10.7 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 接口 - 驅(qū)動器,接收器,收發(fā)器 Texas Instruments 20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC RS232 3V5.5V DRVR ESD 20-SOIC
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
- 接口 - 控制器 Maxim Integrated 32-WFQFN 裸露焊盤 IC USB PERIPH/HOST CNTRL 32TQFN
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments 6-TSSOP(5 引線),SC-88A,SOT-353 IC VREF SHUNT PREC 3V SC-70-5
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
- 接口 - 模擬開關(guān),多路復用器,多路分解器 Maxim Integrated SC-74A,SOT-753 IC SWITCH SPST SOT23-5
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments IC VREF SHUNT 2.5V SOT-23-3
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 113 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Maxim Integrated IC VOLTAGE REF DDR 3.6V TSOT23
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 4.096V SOT23
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 Texas Instruments 10-WFDFN 裸露焊盤 IC REG BST SYNC ADJ 0.12A 10-LLP
- 接口 - 模擬開關(guān),多路復用器,多路分解器 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC SWITCH SPST 8SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 115K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
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