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FDD6780詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 16.5A D-PAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：16.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 16.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1590pF @ 13V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

FDD6780詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 16.5A D-PAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：16.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 16.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1590pF @ 13V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

FDD6780詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 16.5A D-PAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：16.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 16.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1590pF @ 13V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FDD6780A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：16.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.6 毫歐 @ 16.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1235pF @ 13V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

FDD6780A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：16.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.6 毫歐 @ 16.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1235pF @ 13V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FDD6780A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：16.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.6 毫歐 @ 16.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1235pF @ 13V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

GJM1555C1H8R7BB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 8.7PF 50V NP0 0402
GLF-464-074-511-D
模塊 I.O. Interconnect 0805（2012 公制） ASSEMBLY 6 POSITION 4 CONTACT
FDD6780
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 25V 16.5A D-PAK
F03-20
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 徑向 - 4 引線 TERM BLOCK FOR K7L-AT50
FA1-NHSJ-C09-0
同軸，RF Amphenol-RF Division CONN JACK FAKRA .057 OD CABLE
GMM25DREI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS .156 EYELET
F58000233
成角度，線性位置測量 Honeywell Sensing and Control 徑向，圓盤 POS TRANS-XDCR LT 3IN 3K/0.1%
GJM1555C1H8R7WB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 8.7PF 50V NP0 0402
GLF-464-144-500-D
模塊 I.O. Interconnect 0805（2012 公制） ASSEMBLY 6 POSITION 4 CONTACT
GMM25DRKH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS DIP .156 SLD
FA1-NISJ-C01-6
同軸，RF Amphenol-RF Division CONN JACK FAKRA RG-174/316
F5KA833M0D4MG-Z
SAW 濾波器 Taiyo Yuden 5-SMD，無引線 FILTER SAW 833MHZ CDMA2000
GJM1555C1H8R8BB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 8.8PF 50V NP0 0402
GLF-466-076-501-D
模塊 I.O. Interconnect 0805（2012 公制） ASSEMBLY 6 POSITION 6 CONTACT
F03-20
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 徑向 - 4 引線 TERM BLOCK FOR K7L-AT50

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