DS1225AD-150IND+ 全國供應商、價格、PDF資料

DS1225AD-150IND+詳細規(guī)格

類別：存儲器

描述：IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP

系列：-

制造商：Maxim Integrated

格式_存儲器：RAM

存儲器類型：NVSRAM（非易失 SRAM）

存儲容量：64K (8K x 8)

速度：150ns

接口：并聯(lián)

電壓_電源：4.5 V ~ 5.5 V

工作溫度：-40°C ~ 85°C

封裝/外殼：28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

供應商器件封裝：28-EDIP

包裝：管件

• IHSM7832EB822L

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 8200UH 0.17A SMD

• IMC1812ER221K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 220UH 10% 1812

• DS1225AD-150+

  存儲器    Maxim Integrated    28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）    IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP

• LGY2W151MELB

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 150UF 450V 20% SNAP

• GRM31MR72A683KA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.068UF 100V X7R 1206

• IDT70V659S12BFGI

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-LFBGA    IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA

• GSA 375-R

  保險絲    Bel Fuse Inc    3AB，3AG，1/4" x 1-1/4"    FUSE 375MA 250V SLOW UL CERM

• IMC1812ER330K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 33UH 10% 1812

• IHSM7832ER100L

  固定式    Vishay Dale        INDUCTOR POWER 10UH 5.0A SMD

• LGY2W221MELB

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 220UF 450V 20% SNAP

• IDT70V659S12DRGI

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-BFQFP    IC SRAM 4MBIT 12NS 208QFP

• GRM3297U2A302JZ01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    1210（3225 公制）    CAP CER 3000PF 100V 5% U2J 1210

• GSA.8821.B301721

  RF 天線    Taoglas Limited    3AB，3AG，1/4" x 1-1/4"    PENTA BAND GSM I BAR

• IMC1812ER820K

  固定式    Vishay Dale        INDUCTOR WW 82UH 10% 1812

• IHSM7832ER102L

  固定式    Vishay Dale        INDUCTOR POWER 1000UH .51A SMD