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庫存索引1
» 型號(hào)"LGY2W221MELB"的供應(yīng)信息
LGY2W221MELB 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
型號(hào):
廠商:
批號(hào):
封裝:
按地區(qū):
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LGY2W221MELB詳細(xì)規(guī)格
類別:電容器
描述:CAP ALUM 220UF 450V 20% SNAP
系列:GY
制造商:Nichicon
電容:220µF
額定電壓:450V
容差:±20%
壽命0a0溫度:105°C 時(shí)為 7000 小時(shí)
工作溫度:-25°C ~ 105°C
特點(diǎn):通用
紋波電流:1A
ESR(等效串聯(lián)電阻):-
阻抗:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:徑向,Can - 卡入式
尺寸/尺寸:1.181" 直徑(30.00mm)
高度_座高(最大):2.047"(52.00mm)
引線間隔:0.394"(10.00mm)
表面貼裝占地面積:-
包裝:散裝
LGY2W221MELB供應(yīng)商
LGY2W221MELB
上海熠富電子科技有限公司
15026993318 /
LGY2W221MELB
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
LGY2W221MELB
北京人上科技有限公司
13910052844(微
LGY2W221MELB
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
查看更多LGY2W221MELB的供應(yīng)商
IMC1812ER221K
固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 220UH 10% 1812
DS1225AD-150+
存儲(chǔ)器 Maxim Integrated 28-DIP 模塊(0.600",15.24mm) IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP
LGY2W151MELB
電容器 Nichicon 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 150UF 450V 20% SNAP
GRM31MR72A683KA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 0.068UF 100V X7R 1206
IDT70V659S12BFGI
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA
GSA 375-R
保險(xiǎn)絲 Bel Fuse Inc 3AB,3AG,1/4" x 1-1/4" FUSE 375MA 250V SLOW UL CERM
IMC1812ER330K
固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 33UH 10% 1812
IHSM7832ER100L
固定式 Vishay Dale INDUCTOR POWER 10UH 5.0A SMD
DSP56311VL150R2
嵌入式 - DSP(數(shù)字式信號(hào)處理器) Freescale Semiconductor 196-LBGA IC DSP 24BIT 150MHZ 196-MAPBGA
IDT70V659S12DRGI
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BFQFP IC SRAM 4MBIT 12NS 208QFP
GRM3297U2A302JZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 1210(3225 公制) CAP CER 3000PF 100V 5% U2J 1210
GSA.8821.B301721
RF 天線 Taoglas Limited 3AB,3AG,1/4" x 1-1/4" PENTA BAND GSM I BAR
IMC1812ER820K
固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 82UH 10% 1812
IHSM7832ER102L
固定式 Vishay Dale INDUCTOR POWER 1000UH .51A SMD
DSP56321VF200R2
嵌入式 - DSP(數(shù)字式信號(hào)處理器) Freescale Semiconductor 196-FBGA IC DSP 24BIT 200MHZ 196-BGA
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