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CSD16408Q5詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：113A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 12.5V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SON; 包裝：Digi-Reel®

CSD16408Q5詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：113A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 12.5V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SON; 包裝：剪切帶 (CT)

CSD16408Q5詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：113A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 12.5V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SON; 包裝：帶卷 (TR)

CSD16408Q5C詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 113A 8SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：113A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 12.5V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SON-EP（5x6）; 包裝：帶卷 (TR)

CSD16408Q5C詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 113A 8SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：113A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 12.5V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SON-EP（5x6）; 包裝：Digi-Reel®

CSD16408Q5C詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 113A 8SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：113A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 12.5V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SON-EP（5x6）; 包裝：剪切帶 (CT)

IDT23S08-2HDCGI
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC CLK MULT PLL HI DRV 16-SOIC
FCB11N60TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
CSD16408Q5
FET - 單 Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
F210-C15
其它 Omron Electronics Inc-IA Div PNP CONTROLLER
GTC02E-14S-6P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS BOX MNT W/PINS
CSRN2512FK20L0
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2512（6432 公制） RES .02 OHM 2W 1% 2512 SMD
CSD16408Q5
FET - 單 Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
IDT23S08-5HDC
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC CLK MULT PLL HI DRV 16-SOIC
FCB11N60TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
F210-S1
其它 Omron Electronics Inc-IA Div F210 DIGITAL CAMERA
GTC02E-14S-6S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS BOX MNT W/SCKT
CSRN2512FK40L0
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2512（6432 公制） RES .04OHM 2W 1% 2512 SMD
CSD16409Q3
FET - 單 Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
IDT23S08-5HPG
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC CLK MULT PLL HI DRV 16-TSSOP
CSRN2512FK75L0
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2512（6432 公制） RES .075 OHM 2W 1% 2512 SMD

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FCB11N60TM

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F210-C15

GTC02E-14S-6P

CSRN2512FK20L0

CSD16408Q5

IDT23S08-5HDC

FCB11N60TM

F210-S1

GTC02E-14S-6S

CSRN2512FK40L0

CSD16409Q3

IDT23S08-5HPG

CSRN2512FK75L0

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