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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    BUZ73AL 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

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    BUZ73AL詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
    系列:SIPMOS®
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:200V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 3.5A,5V
    Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:840pF @ 25V
    功率_最大:40W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-TO-220-3
    包裝:管件

    BUZ73AL H詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 200V 5.5 TO220-3
    系列:SIPMOS®
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:200V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 3.5A,5V
    Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:840pF @ 25V
    功率_最大:40W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-TO-220-3
    包裝:管件

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