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BUZ73A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 4.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-3; 包裝：管件

BUZ73A E3046詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 4.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO-220-3; 包裝：管件

BUZ73A H詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 4.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO-220-3; 包裝：管件

BUZ73A H3046詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 4.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO-220-3; 包裝：管件

BUZ73AL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 3.5A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：840pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO-220-3; 包裝：管件

BUZ73AL H詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.5 TO220-3; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 3.5A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：840pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO-220-3; 包裝：管件

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FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
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