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BSD223P詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：390mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 390mA，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 1.5µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.62nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 15V; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-VSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT363-6; 包裝：剪切帶 (CT)

BSD223P詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：390mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 390mA，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 1.5µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.62nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 15V; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-VSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT363-6; 包裝：帶卷 (TR)

BSD223P詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：390mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 390mA，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 1.5µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.62nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 15V; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-VSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT363-6; 包裝：Digi-Reel®

BSD223P H6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH 20V 390MA SOT363; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：390mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 390mA，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 1.5µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.62nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 15V; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-VSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT363-6; 包裝：帶卷 (TR)

BSD223P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：390mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 390mA，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 1.5µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.62nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 15V; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-VSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT363-6; 包裝：帶卷 (TR)

810D-500
拭淨(jìng)簽和刷子 MG Chemicals 徑向，圓盤 SWAB CHAMOIS DOUBLE ENDED 500PCS
BSD223P
FET - 陣列 Infineon Technologies 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363
79218651
配件 Crouzet USA 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 "H" ACT SIMRLR R=21.8 FOR 161
7M-40.000MAAE-T
晶體 TXC CORPORATION 4-SMD CRYSTAL 40.000 MHZ 12PF SMD
8-1879335-6
芯片電阻 - 表面安裝 TE Connectivity 0603（1608 公制） RES 165 OHM 1/16W 1% 0603
C1206C822K5RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 8200PF 50V 10% X7R 1206
C901U360JZSDCAWL45
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤 CAP CER 36PF 300V 5% RADIAL
810E209A
同軸，RF Bomar Interconnect Products Inc 徑向，圓盤 CRIMP PLUG
C8029ACS.41.01
同軸 General Cable/Carol Brand 徑向，圓盤 RG-6/18AWG 1PR COMMAND SER 1000’
8-1879335-6
芯片電阻 - 表面安裝 TE Connectivity 0603（1608 公制） RES 165 OHM 1/16W 1% 0603
7M-40.000MAHE-T
晶體 TXC CORPORATION - CRYSTAL 40.000 MHZ 12PF SMD
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陶瓷 Kemet 徑向，圓盤 CAP CER 39PF 250V 5% RADIAL
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陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 0.082UF 250V 5% X7R 1206
C8030.41.02
同軸 General Cable/Carol Brand 1206（3216 公制） RG59/U CCTV W/18 AWG PR PLENUM
810F10KE
底座安裝電阻器 Ohmite 軸向，盒 RES ALUM HOUSED WW 10K OHM 10W

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