BD681 全國供應商、價格、PDF資料

BD681詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR DARL NPN SOT-32

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶體管類型：NPN - 達林頓

電流_集電極333Ic444（最大）：4A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A

電流_集電極截止（最大）：500µA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V

功率_最大：40W

頻率_轉(zhuǎn)換：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3

供應商設備封裝：SOT-32-3

包裝：管件

BD681詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS DARL NPN 4A 100V TO225AA

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 達林頓

電流_集電極333Ic444（最大）：4A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A

電流_集電極截止（最大）：500µA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V

功率_最大：40W

頻率_轉(zhuǎn)換：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3

供應商設備封裝：TO225AA

包裝：散裝

BD681G詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS DARL NPN 4A 100V TO225AA

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 達林頓

電流_集電極333Ic444（最大）：4A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A

電流_集電極截止（最大）：500µA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V

功率_最大：40W

頻率_轉(zhuǎn)換：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3

供應商設備封裝：TO225AA

包裝：散裝

BD681S詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 100V 4A TO-126

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN - 達林頓

電流_集電極333Ic444（最大）：4A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A

電流_集電極截止（最大）：500µA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V

功率_最大：40W

頻率_轉(zhuǎn)換：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3

供應商設備封裝：TO-126

包裝：散裝

BD681STU詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 100V 4A TO-126

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN - 達林頓

電流_集電極333Ic444（最大）：4A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A

電流_集電極截止（最大）：500µA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V

功率_最大：40W

頻率_轉(zhuǎn)換：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3

供應商設備封裝：TO-126

包裝：管件

• 7113

  配件    Keystone Electronics    徑向    CARRIER BD

• B43504D2337M67

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 330UF 250V

• BAV99T-TP

  二極管，整流器 - 陣列    Micro Commercial Co    SOT-523    DIODE SWITCH DL 85V SOT-523

• BC2/3AC

  配件    MPD (Memory Protection Devices)    SOT-523    COVER BATTERY FOR BC2/3AE HOLDER

• BD681

  晶體管(BJT) - 單路    ON Semiconductor    TO-225AA，TO-126-3    TRANS DARL NPN 4A 100V TO225AA

• B43540B5397M60

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 390UF 450V

• BC846S,125

  晶體管(BJT) - 陣列    NXP Semiconductors    6-TSSOP，SC-88，SOT-363    TRANSISTOR NPN 65V 100MA 6TSSOP

• B32653A3804J

  薄膜    EPCOS Inc        FILM CAP 0.80UF 5% 250V MKP

• 7113

  配件    Keystone Electronics        CARRIER BD

• BC846S,125

  晶體管(BJT) - 陣列    NXP Semiconductors    6-TSSOP，SC-88，SOT-363    TRANSISTOR NPN 65V 100MA 6TSSOP

• BC2/3AC

  配件    MPD (Memory Protection Devices)    6-TSSOP，SC-88，SOT-363    COVER BATTERY FOR BC2/3AE HOLDER

• B32653A3824K

  薄膜    EPCOS Inc        FILM CAP 0.82UF 10% 250V MKP

• 7114

  配件    Keystone Electronics        CARRIER BD

• B43540B9157M67

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 150UF 400V

• B43504D2827M82

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 820UF 250V