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2N7002V詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSF N CH DL 60V 280MA SOT-563F; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：280mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 歐姆 @ 50mA，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-563F; 包裝：帶卷 (TR)

2N7002V詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSF N CH DL 60V 280MA SOT-563F; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：280mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 歐姆 @ 50mA，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-563F; 包裝：Digi-Reel®

2N7002V詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSF N CH DL 60V 280MA SOT-563F; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：280mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 歐姆 @ 50mA，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-563F; 包裝：剪切帶 (CT)

2N7002V-7詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：280mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 歐姆 @ 50mA，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-563; 包裝：Digi-Reel®

2N7002V-7詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：280mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 歐姆 @ 50mA，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-563; 包裝：帶卷 (TR)

2N7002V-7詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：280mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 歐姆 @ 50mA，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-563; 包裝：剪切帶 (CT)

3130-F120-P7T1-W02Q-10A
斷路器 E-T-A 軸向 CIR BRKR THRM 10A ROCKER 250V
2N7002V
FET - 陣列 Fairchild Semiconductor SOT-563，SOT-666 MOSF N CH DL 60V 280MA SOT-563F
3G3AX-RAO04600110-DE
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SOT-563，SOT-666 3G3_X OUTPUT AC REACTOR
325035-02-0
接線座 - 隔板塊 Curtis Industries SOT-563，SOT-666 TERM BARRIER 2CIRC SGL ROW .325
3-1879062-1
鉭 TE Connectivity 1206（3216 公制） CAP TANT 10UF 16V 10% 1206
3-1437426-9
接線座 - 接頭，插頭和插口 TE Connectivity 1206（3216 公制） CONN TERM BLOCK PLUG 12POS 5MM
412-59586
配件 Power-One 1206（3216 公制） COVER FOR MAP130 SERIES
25JR15E
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RESISTOR WIREWOUND .15 OHM 5W
3130-F120-P7T1-W02Q-3A
斷路器 E-T-A 軸向 CIR BRKR THRM 3A ROCKER 250V
3-1879062-8
鉭 TE Connectivity 1206（3216 公制） CAP TANT 3.3UF 16V 20% 1206
325035-08-0
接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 1206（3216 公制） TERM BARRIER 8CIRC SGL ROW .325
25JR30
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RESISTOR WIREWOUND .30 OHM 5W
412-59586
配件 Power-One 軸向 COVER FOR MAP130 SERIES
3-1437427-5
接線座 - 接頭，插頭和插口 TE Connectivity 軸向 CONN TERM BLOCK PIN 7POS BLACK
3130-F120-P7T1-W02Q-4A
斷路器 E-T-A 軸向 CIR BRKR THRM 4A ROCKER 250V

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