三極管開(kāi)關(guān)加上了電容性負(fù)載（假定其與Rp并聯(lián)），則在三極管截止后，由于負(fù)載電壓必須經(jīng)由RC電阻對(duì)電容慢慢充電而建立，因此電容量或信號(hào)輸入電阻值越大，時(shí)間常數(shù)（RC）便越大，從而使得負(fù)載電壓的上升速率越慢。

在某些應(yīng)用中，這種現(xiàn)象是不允許的，因此必須采用改進(jìn)電路，即圖騰式開(kāi)關(guān)電路。

左半部的輸入控制電路，負(fù)責(zé)Qi和Qj三極管的導(dǎo)通與截?cái)嗫刂疲潜仨毚_保Q,和Q2不同時(shí)導(dǎo)通，否則將使Vcc和地之間經(jīng)由Q,和Q2而形同短路，產(chǎn)生的大電流將至少使一只三極管燒毀。

LM1117IMPX-3.3/NOPB

因此圖騰式三極管開(kāi)關(guān)絕對(duì)不可采用并聯(lián)方式來(lái)使用，否則只要圖騰上方的三極管Q,群中?腥我恢壞紀(jì)ǎ路降腝2群中又恰好有一只導(dǎo)通，電源便經(jīng)由導(dǎo)通的Q,和Q2短路，從而造成嚴(yán)重的后果。

制造芯片時(shí)，將元件和電路連線置于硅片的表面和內(nèi)部，形成9-10個(gè)不同的層次。

在真空中生成圓柱形的純硅晶體，然后將其切成0.5毫米厚的圓片???財(cái)謀礱婺サ眉涔饣?/span>

利用存儲(chǔ)在電子計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器里的電路設(shè)計(jì)程序，為芯片的各層制造一組“光掩模”，這種掩模是正方形的玻璃。用照相處理的辦法或電子流平板印刷技術(shù)將每一層的電路圖形印在每一塊玻璃掩模式上，因而玻璃僅有部分透光。

圖騰式電路是將一只三極管直接疊接于另一只三極管圖騰式三極管開(kāi)關(guān)之上所構(gòu)成的。欲使負(fù)載獲能，必須使Q，三極管導(dǎo)通，同時(shí)使Q2三極管截止，如此負(fù)載便可經(jīng)由Q，而連接至Vcc上；欲使負(fù)載去能，必須使Q1三極管截止，同時(shí)使Q2三極管導(dǎo)通，如此負(fù)載將經(jīng)由Q2接地。

由于Q，的集電極除了極小的接點(diǎn)電阻外，幾乎沒(méi)有任何電阻存在，因此負(fù)載幾乎是直接連接到正電源上的，也因此當(dāng)Q1 導(dǎo)通時(shí)，就再也沒(méi)有電容的慢速充電現(xiàn)象存在了。所以可說(shuō)Q1"將負(fù)載拉起"，而稱之為“挽起三極管”,Q2則稱為“拉下三極管”。