首先,根據(jù)測試出現(xiàn)的現(xiàn)象,推測可能導致保護器件損壞的原因如下。 GC2011A-PB

   (1)浪涌發(fā)生器輸出異常,測試電壓或電流值超過設(shè)置值。

   (2)TSS單體器件的浪涌通流能力達不到規(guī)格參數(shù)的標稱等級。但是,經(jīng)過現(xiàn)場確認和實驗測試,兩種原因均不能成立,因為:①用電流環(huán)與示波器進行浪涌發(fā)生器原波檢測,浪涌發(fā)生器波形和能量輸出正常;②對單體器件進行最高浪涌測試等級(電流波形為10/7O0△,s,測試電壓為6kⅤ,而是內(nèi)阻為婀Ω,正負各5次),且批量測試驗證,實驗后器件參數(shù)依舊正常,TSS元器件浪涌承受能力不存在問題。那是什么原因導致保護器件規(guī)格參數(shù)均符合設(shè)計要求,在測試等級遠低于器件最大電壓、最大電流承受能力時也發(fā)生損壞呢,仔細分析被測產(chǎn)品的設(shè)計原理圖后發(fā)現(xiàn)串口連接的信號地(AGND)與

保護地(EGND)之間并聯(lián)了14個容值為2.211F的電容,用萬用表實際測量TSS兩端電容值為30nF。?庋誚行藕諾?AGND)與保護地(EGND)之間浪涌測試時,浪涌電流會在被擊穿導通之前對電容進行充電,會對TSS進行反向放電,即圖4,119致保護器件(TSs)損壞,圖4.120波形圖。