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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    ZXMHC6A07N8TC 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    ZXMHC6A07N8TC詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET COMPL H-BRIDGE 60V 8-SOIC
    系列:-
    制造商:Diodes Inc
    FET型:2 個 N?通道和 2 個 P 通道(H 橋)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.39A,1.28A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 1.8A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:3.2nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:166pF @ 40V
    功率_最大:870mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOP
    包裝:帶卷 (TR)

    ZXMHC6A07N8TC詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET COMPL H-BRIDGE 60V 8-SOIC
    系列:-
    制造商:Diodes Inc
    FET型:2 個 N?通道和 2 個 P 通道(H 橋)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.39A,1.28A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 1.8A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:3.2nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:166pF @ 40V
    功率_最大:870mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOP
    包裝:Digi-Reel®

    ZXMHC6A07N8TC詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET COMPL H-BRIDGE 60V 8-SOIC
    系列:-
    制造商:Diodes Inc
    FET型:2 個 N?通道和 2 個 P 通道(H 橋)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.39A,1.28A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 1.8A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:3.2nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:166pF @ 40V
    功率_最大:870mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOP
    包裝:剪切帶 (CT)

    ZXMHC6A07N8TC供應(yīng)商

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