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UVZ2E331MRH 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

UVZ2E331MRH詳細(xì)規(guī)格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 330UF 250V 20% RADIAL

系列：VZ

制造商：Nichicon

電容：330µF

額定電壓：250V

容差：±20%

壽命0a0溫度：105°C 時(shí)為 1000 小時(shí)

工作溫度：-40°C ~ 105°C

特點(diǎn)：通用

紋波電流：730mA

ESR（等效串聯(lián)電阻）：-

阻抗：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：徑向，Can

尺寸/尺寸：0.866" 直徑（22.00mm）

高度_座高（最大）：1.969"（50.00mm）

引線間隔：0.394"（10.00mm）

表面貼裝占地面積：-

包裝：散裝

• UVZ2E220MHH

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 22UF 250V 20% RADIAL

• TNPW2010330KBEEY

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 330K OHM .40W 0.1% 2010

• TO-207-060E

  電路板襯墊，支座    Bivar Inc        SPACER WASHAWAY

• TNPW040249K9BEED

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0402（1005 公制）    RES 49.9K OHM 1/16W 0.1% 0402

• TNPW080524R0BEEA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0805（2012 公制）    RES 24.0 OHM 1/8W 0.1% 0805

• UPA2719AGR-E2-AT

  FET - 單    Renesas Electronics America    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

• TO-207-070H

  電路板襯墊，支座    Bivar Inc        SPACER WASHAWAY

• UPA2756GR-E2-AT

  FET - 陣列    Renesas Electronics America    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC

• TNPW2010332KBETF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 332K OHM .40W 0.1% 2010

• TNPW080524R0BETA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0805（2012 公制）    RES 24.0 OHM 1/8W 0.1% 0805

• TNPW040249R9BEED

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0402（1005 公制）    RES 49.9 OHM 1/16W 0.1% 0402

• UPA2757GR-E1-AT

  FET - 陣列    Renesas Electronics America    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC

• TO-21-090H

  電路板襯墊，支座    Bivar Inc        SPACER WASHAWAY

• UPA2757GR-E2-AT

  FET - 陣列    Renesas Electronics America    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC

• TNPW201033K0BEEY

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 33.0K OHM .40W 0.1% 2010