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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    TPCF8201(TE85L) 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    TPCF8201(TE85L)詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8
    系列:-
    制造商:Toshiba
    FET型:2 個 N 溝道(雙)
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:49 毫歐 @ 1.5A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.5nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:590pF @ 10V
    功率_最大:530mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:VS-8(2.9x1.9)
    包裝:帶卷 (TR)

    TPCF8201(TE85L)詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8
    系列:-
    制造商:Toshiba
    FET型:2 個 N 溝道(雙)
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:49 毫歐 @ 1.5A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.5nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:590pF @ 10V
    功率_最大:530mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:VS-8(2.9x1.9)
    包裝:剪切帶 (CT)

    TPCF8201(TE85L)供應(yīng)商

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