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    TPCF8101(TE85L) 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    TPCF8101(TE85L)詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
    系列:-
    制造商:Toshiba
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:12V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫歐 @ 3A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 10V
    功率_最大:-
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
    供應商設備封裝:VS-8(2.9x1.9)
    包裝:剪切帶 (CT)

    TPCF8101(TE85L)詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
    系列:-
    制造商:Toshiba
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:12V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫歐 @ 3A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 10V
    功率_最大:-
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
    供應商設備封裝:VS-8(2.9x1.9)
    包裝:帶卷 (TR)

    TPCF8101(TE85L)供應商

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