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    TP0610K-T1 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    TP0610K-T1詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET PCH SOT23
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:185mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 歐姆 @ 500mA,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.7nC @ 15V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:23pF @ 25V
    功率_最大:350mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
    包裝:帶卷 (TR)

    TP0610K-T1-E3詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:185mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 歐姆 @ 500mA,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.7nC @ 15V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:23pF @ 25V
    功率_最大:350mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
    包裝:剪切帶 (CT)

    TP0610K-T1-E3詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:185mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 歐姆 @ 500mA,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.7nC @ 15V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:23pF @ 25V
    功率_最大:350mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
    包裝:Digi-Reel®

    TP0610K-T1-E3詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:185mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 歐姆 @ 500mA,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.7nC @ 15V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:23pF @ 25V
    功率_最大:350mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
    包裝:帶卷 (TR)

    TP0610K-T1-GE3詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH D-S 60-V
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:185mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 歐姆 @ 500mA,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.7nC @ 15V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:23pF @ 25V
    功率_最大:350mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
    包裝:帶卷 (TR)

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