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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    StP8 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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    STP80N20M5詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
    系列:MDmesh™
    制造商:STMicroelectronics
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:200V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:61A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫歐 @ 30.5A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:104nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:4329pF @ 50V
    功率_最大:190W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    STP80NE03L-06詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220
    系列:-
    制造商:STMicroelectronics
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:80A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫歐 @ 40A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:8700pF @ 25V
    功率_最大:150W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    STP80NE06-10詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
    系列:-
    制造商:STMicroelectronics
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:80A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫歐 @ 40A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:140nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:10000pF @ 25V
    功率_最大:150W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    STP80NF03L詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
    系列:STripFET™
    制造商:STMicroelectronics
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:80A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 40A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:5500pF @ 25V
    功率_最大:300W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    STP80NF03L-04詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
    系列:STripFET™
    制造商:STMicroelectronics
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:80A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 40A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:5500pF @ 25V
    功率_最大:300W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    STP80NF06詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
    系列:STripFET™
    制造商:STMicroelectronics
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:80A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 40A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:150nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:3850pF @ 25V
    功率_最大:300W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    StP8供應(yīng)商

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