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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    SUD50P04 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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    SUD50P04-08-GE3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH D-S 40V DPAK
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:50A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.1 毫歐 @ 22A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:159nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:5380pF @ 20V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252,(D-Pak)
    包裝:Digi-Reel®

    SUD50P04-08-GE3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH D-S 40V DPAK
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:50A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.1 毫歐 @ 22A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:159nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:5380pF @ 20V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252,(D-Pak)
    包裝:帶卷 (TR)

    SUD50P04-08-GE3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH D-S 40V DPAK
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:50A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.1 毫歐 @ 22A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:159nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:5380pF @ 20V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252,(D-Pak)
    包裝:剪切帶 (CT)

    SUD50P04-09L-E3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH D-S 40V TO252
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:50A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.4 毫歐 @ 24A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:150nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:4800pF @ 25V
    功率_最大:3W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252,(D-Pak)
    包裝:帶卷 (TR)

    SUD50P04-13L-E3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH D-S 40V TO252
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:60A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫歐 @ 30A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:95nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:3120pF @ 25V
    功率_最大:3W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252,(D-Pak)
    包裝:帶卷 (TR)

    SUD50P04-13L-GE3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH D-S 40V DPAK
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:55.7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫歐 @ 30A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:95nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:3120pF @ 25V
    功率_最大:78W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252,(D-Pak)
    包裝:剪切帶 (CT)

    SUD50P04供應(yīng)商

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