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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    SUD50N04 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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    SUD50N04-05L-E3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH D-S 40V TO252
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:115A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.4 毫歐 @ 20A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:135nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:5600pF @ 25V
    功率_最大:136W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252,(D-Pak)
    包裝:帶卷 (TR)

    SUD50N04-09H-E3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH D-S 40V TO252
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:50A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 20A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:85nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:3700pF @ 25V
    功率_最大:83.3W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252,(D-Pak)
    包裝:帶卷 (TR)

    SUD50N04-16P-E3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH D-S 40V TO252
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9.8A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫歐 @ 15A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1655pF @ 20V
    功率_最大:3.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252,(D-Pak)
    包裝:帶卷 (TR)

    SUD50N04-37P-T4-E3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH D-S 40V TO252
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:37 毫歐 @ 5A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:640pF @ 20V
    功率_最大:10.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252,(D-Pak)
    包裝:帶卷 (TR)

    SUD50N04-8M8P-4GE3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 40V 50A TO-252
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:50A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.8 毫歐 @ 20A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:56nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 20V
    功率_最大:48.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252,(D-Pak)
    包裝:帶卷 (TR)

    SUD50N04-8M8P-4GE3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 40V 50A TO-252
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:50A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.8 毫歐 @ 20A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:56nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 20V
    功率_最大:48.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252,(D-Pak)
    包裝:Digi-Reel®

    SUD50N04供應(yīng)商

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