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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    SUD45P03 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    SUD45P03-09-GE3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH D-S 30V DPAK
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:45A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.7 毫歐 @ 20A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:90nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2700pF @ 15V
    功率_最大:2.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252,(D-Pak)
    包裝:帶卷 (TR)

    SUD45P03-09-GE3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH D-S 30V DPAK
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:45A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.7 毫歐 @ 20A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:90nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2700pF @ 15V
    功率_最大:2.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252,(D-Pak)
    包裝:Digi-Reel®

    SUD45P03-09-GE3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH D-S 30V DPAK
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:45A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.7 毫歐 @ 20A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:90nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2700pF @ 15V
    功率_最大:2.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252,(D-Pak)
    包裝:剪切帶 (CT)

    SUD45P03-10-E3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 30V TO252
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:15A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫歐 @ 15A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:150nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:6000pF @ 25V
    功率_最大:-
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252,(D-Pak)
    包裝:帶卷 (TR)

    SUD45P03-10-E3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 30V TO252
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:15A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫歐 @ 15A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:150nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:6000pF @ 25V
    功率_最大:-
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252,(D-Pak)
    包裝:Digi-Reel®

    SUD45P03-10-E3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 30V TO252
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:15A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫歐 @ 15A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:150nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:6000pF @ 25V
    功率_最大:-
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252,(D-Pak)
    包裝:剪切帶 (CT)

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