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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    STV160NF02LT4 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    STV160NF02LT4詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
    系列:STripFET™
    制造商:STMicroelectronics
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:160A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.5 毫歐 @ 80A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:160nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:4800pF @ 15V
    功率_最大:210W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerSO-10
    包裝:剪切帶 (CT)

    STV160NF02LT4詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
    系列:STripFET™
    制造商:STMicroelectronics
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:160A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.5 毫歐 @ 80A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:160nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:4800pF @ 15V
    功率_最大:210W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerSO-10
    包裝:帶卷 (TR)

    STV160NF02LT4供應(yīng)商

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