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STS詳細(xì)規(guī)格: 類別：標(biāo)記; 描述：WIRE MARKER TYPE ON 3/4"X 1 3/8"; 系列：STS; 制造商：3M; 類型：導(dǎo)線標(biāo)記; 尺寸：0.75" W x 1.40" L（19.0mm x 35.6mm）; 電纜直徑：0.09" ~ 0.31"（2.3mm ~ 8.0mm）; 圖例：空白; 顏色：白; 材料：乙烯基; 包裝：每張 55 個(gè)；每包 5 張

STS01DTP06詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS NPN/PNP 60V 3A 8SOIC; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：NPN，PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：3A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 100mA，2A; 電流_集電極截止（最大）：1µA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1A，2V; 功率_最大：2W; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

STS01DTP06詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS NPN/PNP 60V 3A 8SOIC; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：NPN，PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：3A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 100mA，2A; 電流_集電極截止（最大）：1µA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1A，2V; 功率_最大：2W; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

STS01DTP06詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS NPN/PNP 60V 3A 8SOIC; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：NPN，PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：3A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 100mA，2A; 電流_集電極截止（最大）：1µA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1A，2V; 功率_最大：2W; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

STS05DTP03詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS DUAL NPN-PNP BIPO 8SOIC; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：NPN，PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：5A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 250mA，5A; 電流_集電極截止（最大）：1µA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1A，2V; 功率_最大：2W; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

STS05DTP03詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS DUAL NPN-PNP BIPO 8-SOIC; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：NPN，PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：5A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 250mA，5A; 電流_集電極截止（最大）：1µA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1A，2V; 功率_最大：2W; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

TC164-JR-071K2L
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Yageo 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 1.2K OHM 4 RES 1206
STM6524AHARDL6F
PMIC - 監(jiān)控器 STMicroelectronics 6-UFDFN IC SMART RESET 6-UDFN
TNPU08051K07BZEN00
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 1.07K OHM 1/8W 0.1% 0805
TB400-06
接線座 - 隔板塊 Cooper Bussmann 4-SMD，無引線（DFN，LCC） TERM BLK 75A 600V 6CIRC UL CSA
SIP502.5LT
DC DC Converters Power-One 11-SIP 模塊 CONV DC-DC 5V IN 2.5V OUT 15W
STR-EWDOC/IAR
軟件 STMicroelectronics KIT DEV EWARM DOC
STP75N75F4
FET - 單 STMicroelectronics * MOSFET N CH 75V 78A TO-220
STM6524APARDL6F
PMIC - 監(jiān)控器 STMicroelectronics 6-UFDFN IC SMART RESET 6-UDFN
TC164-JR-071KL
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Yageo 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 1K OHM 4 RES 1206
TNPU08051K13AZEN00
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 1.13K OHM 0.05% 0805 SMD
SIPC69N50C3
其它 Infineon Technologies MOSFET COOL MOS SAWED WAFER
STP8N65M5
FET - 單 STMicroelectronics TO-220-3 成形引線 MOSFET N-CH 650V 7A TO-220
TC164-JR-071ML
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Yageo 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 1M OHM 4 RES 1206
STM6524AUABDL6F
PMIC - 監(jiān)控器 STMicroelectronics 6-UFDFN IC SMART RESET 6UDFN
TB400-12
接線座 - 隔板塊 Cooper Bussmann 4-SMD，無引線（DFN，LCC） TERM BLK 75A 600V 12CIRC UL CSA

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