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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    STD20 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    STD20詳細(xì)規(guī)格

    類別:保險(xiǎn)絲 - 電氣,特制
    描述:FUSE INDUST 20A 240V BS IEC
    系列:STD
    制造商:Cooper Bussmann
    保險(xiǎn)絲類型:慢速熔斷,時滯型
    電壓_額定:240VAC
    電流:20A
    封裝/外殼:圓柱形,扁平端子(螺栓)
    大小/尺寸:0.476" 直徑 x 1.850" L(12.10mm x 47.00mm)
    安裝類型:螺栓安裝
    顏色:-
    工作溫度:-

    STD20N20T4詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
    系列:STripFET™
    制造商:STMicroelectronics
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:200V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:18A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:125 毫歐 @ 10A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:940pF @ 25V
    功率_最大:90W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
    包裝:剪切帶 (CT)

    STD20N20T4詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
    系列:STripFET™
    制造商:STMicroelectronics
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:200V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:18A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:125 毫歐 @ 10A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:940pF @ 25V
    功率_最大:90W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
    包裝:帶卷 (TR)

    STD20NF06LT4詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
    系列:STripFET™
    制造商:STMicroelectronics
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:24A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫歐 @ 12A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
    功率_最大:60W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
    包裝:帶卷 (TR)

    STD20NF06LT4詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
    系列:STripFET™
    制造商:STMicroelectronics
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:24A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫歐 @ 12A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
    功率_最大:60W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
    包裝:剪切帶 (CT)

    STD20NF06LT4詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
    系列:STripFET™
    制造商:STMicroelectronics
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:24A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫歐 @ 12A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
    功率_最大:60W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
    包裝:Digi-Reel®

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