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STB200NF04-1詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.7 毫歐 @ 90A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：210nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5100pF @ 25V; 功率_最大：310W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

STB200NF04L詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫歐 @ 50A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6400pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

STB200NF04L詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫歐 @ 50A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6400pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

STB200NF04L詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫歐 @ 50A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6400pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

STB200NF04L-1詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫歐 @ 50A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6400pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

STB200NF04T4詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.7 毫歐 @ 90A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：210nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5100pF @ 25V; 功率_最大：310W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

SC16C554DIA68,512
接口 - UART（通用異步接收器/發(fā)送器） NXP Semiconductors 68-LCC（J 形引線） IC UART QUAD W/FIFO 68-PLCC
SS101M010ST
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can CAP ALUM 100UF 10V 20% RADIAL
T496C106K020AS
鉭 Kemet 2312（6032 公制） CAP TANT 10UF 20V 10% 2312
STB200NF04L-1
FET - 單 STMicroelectronics TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
SA602
適配器 Xeltek 20-LSSOP（0.173"，4.40mm 寬） SOCKET ADAPTER FOR SOIC16/SOIC8
SSB-CEL15890UWW-24
配件 Lumex Opto/Components Inc DO-214AA，SMB LED BKLT 7" DIAGONAL WHT 24CHIPS
SC16C554DIB64,157
接口 - UART（通用異步接收器/發(fā)送器） NXP Semiconductors 64-LQFP IC UART QUAD SOT314-2
SMAJ100CA
TVS - 二極管 Bourns Inc. DO-214AC，SMA DIODE TVS 100V 400W BI 5% SMD
T496C106K025AS
鉭 Kemet 2312（6032 公制） CAP TANT 10UF 25V 10% 2312
SSB-CEL15890UWW-24
配件 Lumex Opto/Components Inc DO-214AA，SMB LED BKLT 7" DIAGONAL WHT 24CHIPS
T95Y476M004EZAL
鉭 Vishay Sprague 2910（7227 公制） CAP TANT 47UF 4V 20% 2910
SA602AD/01,118
RF 混頻器 NXP Semiconductors 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MIXER/OSC DOUBLE-BAL 8-SOIC
SS-10-2D2
快動，限位，拉桿 Omron Electronics Inc-EMC Div 徑向，Can SW SUBMINI SPST-NC 10.1A PLUNGER
T496C106K025AT
鉭 Kemet 2312（6032 公制） CAP TANT 10UF 25V 10% 2312
SC16C554IB80,528
接口 - UART（通用異步接收器/發(fā)送器） NXP Semiconductors 80-LQFP IC UART QUAD SOT315-1

STB200NF04 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料