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SPP80N06S-08詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 80A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：187nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3660pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-3; 包裝：管件

SPP80N06S2-05詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.1 毫歐 @ 80A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6790pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-TO220-3; 包裝：管件

SPP80N06S2-07詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.6 毫歐 @ 68A，10v; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 180µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4540pF @ 25V; 功率_最大：250W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-TO220-3; 包裝：管件

SPP80N06S2-08詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 58A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：96nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3800pF @ 25V; 功率_最大：215W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-TO220-3; 包裝：管件

SPP80N06S2-09詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.1 毫歐 @ 50A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 125µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3140pF @ 25V; 功率_最大：190W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-TO220-3; 包裝：管件

SPP80N06S2-H5詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫歐 @ 80A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 230µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：155nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-TO220-3; 包裝：管件

SA101A271KAC
陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 270PF 100V 10% AXIAL
T491X476K035AT
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 47UF 35V 10% 2917
T491V227K010AT
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 220UF 10V 10% 2917
SA101E104MARC
陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 0.1UF 100V 20% AXIAL
SPP80N03S2L-03
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
SPD07N60C3T
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
SLM-730
LED - 墊片，支座 Bivar Inc LED MT SR VERT
SA101A271KAC
陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 270PF 100V 10% AXIAL
T491X476M025AT
鉭 Kemet CAP TANT 47UF 25V 20% SMD
SA101E104ZAC
陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 0.1UF 100V AXIAL
SPD07N60C3T
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
SLM7905GD
LED - 電路板指示器，陣列，發(fā)光條，條形圖 Bivar Inc LED ASSY VERT 5MM GRN 565NM
SA101A331KAA
陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 330PF 100V 10% AXIAL
T491X476M035ZT
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 47UF 35V 20% 2917
T491V336K020AT
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 33UF 20V 10% 2917

SPP80N06 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料