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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    SPP80N03 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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    SPP80N03S2-03詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
    系列:OptiMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:80A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.4 毫歐 @ 80A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:150nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:7020pF @ 25V
    功率_最大:300W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:P-TO220-3
    包裝:管件

    SPP80N03S2L-03詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
    系列:OptiMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:80A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.1 毫歐 @ 80A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:220nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:8180pF @ 25V
    功率_最大:300W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:P-TO220-3
    包裝:管件

    SPP80N03S2L-04詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
    系列:OptiMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:80A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.2 毫歐 @ 80A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 130µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:105nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:3900pF @ 25V
    功率_最大:188W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:P-TO220-3
    包裝:管件

    SPP80N03S2L-05詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB
    系列:OptiMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:80A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.2 毫歐 @ 55A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 110µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:89.7nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:3320pF @ 25V
    功率_最大:167W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:P-TO220AB
    包裝:管件

    SPP80N03S2L-06詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB
    系列:OptiMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:80A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.2 毫歐 @ 80A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 80µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:68nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2530pF @ 25V
    功率_最大:150W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:P-TO220AB
    包裝:管件

    SPP80N03供應(yīng)商

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