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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    SPP18P06P 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    SPP18P06P詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB
    系列:SIPMOS®
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:18.7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫歐 @ 13.2A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
    功率_最大:81.1W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-TO220-3
    包裝:管件

    SPP18P06P H詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
    系列:SIPMOS®
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:18.7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫歐 @ 13.2A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
    功率_最大:81.1W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-TO220-3
    包裝:管件

    SPP18P06P供應(yīng)商

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