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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    SPN02N60C3 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    SPN02N60C3詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
    系列:CoolMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:650V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:400mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.5 歐姆 @ 1.1A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3.9V @ 80µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 25V
    功率_最大:1.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT223-4
    包裝:帶卷 (TR)

    SPN02N60C3 E6433詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
    系列:CoolMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:650V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:400mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.5 歐姆 @ 1.1A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3.9V @ 80µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 25V
    功率_最大:1.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT223-4
    包裝:帶卷 (TR)

    SPN02N60C3供應(yīng)商

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