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SPB2詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：箱 - 元件; 描述：PANEL SWING KIT; 系列：SPB; 制造商：Hammond Manufacturing; 類(lèi)型：面板套件; 特性：鉸鏈?zhǔn)?/dd>; 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品：1418、C3R-HCLO、C3R-HCR 系列; 大小/尺寸：-; 顏色：-; 材料：-

SPB20N60C3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：650V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 13.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3.9V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：114nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V; 功率_最大：208W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：帶卷 (TR)

SPB20N60S5詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 20A TO-263; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 13A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：103nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3000pF @ 25V; 功率_最大：208W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：帶卷 (TR)

SPB20N60S5詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 20A TO-263; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 13A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：103nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3000pF @ 25V; 功率_最大：208W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：Digi-Reel®

SPB20N60S5詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 20A TO-263; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 13A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：103nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3000pF @ 25V; 功率_最大：208W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：剪切帶 (CT)

SPB21N10詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 44µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：865pF @ 25V; 功率_最大：90W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-TO263-3; 包裝：帶卷 (TR)

SA055C103KAA
陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 10000PF 50V 10% AXIAL
SS10-3
電路板襯墊，支座 Richco Plastic Co 徑向，Can SPACER RND PLAST #10SCREW 3/8"
SLL-06
配件 Omron Electronics Inc-EMC Div INCANDESCNT LAMP FOR M2P INDICTR
SPB20N60S5
FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
SPN03N60C3
FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 650V 0.7A SOT-223
SRT2-ID32ML
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERM BLOCK 32PT NPN INPUTS
T491D336K016AS
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 33UF 16V 10% 2917
SS-103-G-2
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc 徑向，Can CONN RCPT .100" 3POS GOLD T/H
SA055C103MAR
陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 10000PF 50V 20% AXIAL
SPN03N60S5
FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 600V 0.7A SOT-223
T491D336K020AS
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 33UF 20V 10% 2917
SRT2-ID32ML
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERM BLOCK 32PT NPN INPUTS
SS-105-TT-2
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 CONN RCPT .100" 5POS TIN T/H
SA055C104MAA
陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 0.1UF 50V 20% AXIAL
SLL-06H
配件 Omron Electronics Inc-EMC Div INCANDESCNT LAMP FOR M2P INDICTR

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