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    SP8M5 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    SP8M51TB1詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N/P-CH 100V SOP8
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    FET型:N 和 P 溝道
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A,2.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:-
    Id時的Vgs333th444(最大):-
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:2W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:8-SOP
    包裝:Digi-Reel®

    SP8M51TB1詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N/P-CH 100V SOP8
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    FET型:N 和 P 溝道
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A,2.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:-
    Id時的Vgs333th444(最大):-
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:2W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:8-SOP
    包裝:帶卷 (TR)

    SP8M51TB1詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N/P-CH 100V SOP8
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    FET型:N 和 P 溝道
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A,2.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:-
    Id時的Vgs333th444(最大):-
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:2W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:8-SOP
    包裝:剪切帶 (CT)

    SP8M5FU6TB詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    FET型:N 和 P 溝道
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6A,7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫歐 @ 6A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:10.1nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 10V
    功率_最大:2W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:8-SOIC N
    包裝:帶卷 (TR)

    SP8M5TB詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N+P 30V 6A 8-SOIC
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    FET型:N 和 P 溝道
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6A,7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫歐 @ 6A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.2nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 10V
    功率_最大:2W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:8-SOIC N
    包裝:帶卷 (TR)

    SP8M5TB詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N+P 30V 6A 8-SOIC
    系列:-
    制造商:Rohm Semiconductor
    FET型:N 和 P 溝道
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6A,7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫歐 @ 6A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.2nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 10V
    功率_最大:2W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:8-SOIC N
    包裝:剪切帶 (CT)

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