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SP8J1FU6TB詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 5A 8SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SP8J1TB詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SP8J1TB詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SP8J1TB詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

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SP8J1 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料